Hafniumtetrachlorid | HfCl4-Pulver | CAS 13499-05-3 | Fabrikpreis

Kurze Beschreibung:

Hafniumtetrachlorid findet wichtige Anwendung als Vorläufer von Hafniumoxid, als Katalysator für die organische Synthese, für nukleare Anwendungen und die Dünnschichtabscheidung, was seine Vielseitigkeit und Bedeutung in verschiedenen Technologiebereichen unterstreicht.

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Produktdetail

Produkt Tags

Produktbeschreibung

Kurze Einleitung

Produktname: Hafniumtetrachlorid
CAS-Nr.: 13499-05-3
Verbindungsformel: HfCl4
Molekulargewicht: 320,3
Aussehen: Weißes Pulver

Spezifikation

Artikel	Spezifikation
Aussehen	Weißes Pulver
HfCl4 + ZrCl4	≥99,9 %
Zr	≤200 ppm
Fe	≤40 ppm
Ti	≤20 ppm
Si	≤40 ppm
Mg	≤20 ppm
Cr	≤20 ppm
Ni	≤25 ppm
U	≤5 ppm
Al	≤60 ppm

Anwendung

Hafniumdioxid-VorläuferHafniumtetrachlorid dient hauptsächlich als Vorläufer für die Herstellung von Hafniumdioxid (HfO2), einem Material mit hervorragenden dielektrischen Eigenschaften. HfO2 wird häufig in High-k-Dielektrika für Transistoren und Kondensatoren in der Halbleiterindustrie eingesetzt. HfCl4 ist aufgrund seiner Fähigkeit, dünne Hafniumdioxidfilme zu bilden, für die Herstellung moderner elektronischer Geräte unverzichtbar.
Katalysator für die organische SyntheseHafniumtetrachlorid kann als Katalysator für verschiedene organische Synthesereaktionen, insbesondere die Olefinpolymerisation, eingesetzt werden. Seine Lewis-Säure-Eigenschaften tragen zur Bildung aktiver Zwischenprodukte bei und verbessern so die Effizienz chemischer Reaktionen. Diese Anwendung ist wertvoll für die Herstellung von Polymeren und anderen organischen Verbindungen in der chemischen Industrie.
Nukleare AnwendungAufgrund seines hohen Neutronenabsorptionsquerschnitts wird Hafniumtetrachlorid häufig in der Nukleartechnik eingesetzt, insbesondere in Steuerstäben von Kernreaktoren. Hafnium absorbiert Neutronen effektiv und eignet sich daher zur Regulierung des Kernspaltungsprozesses. Dies trägt zur Verbesserung der Sicherheit und Effizienz der Kernenergieerzeugung bei.
DünnschichtabscheidungHafniumtetrachlorid wird in der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) zur Bildung dünner Filme aus hafniumbasierten Materialien verwendet. Diese Filme sind für eine Vielzahl von Anwendungen unverzichtbar, darunter Mikroelektronik, Optik und Schutzbeschichtungen. Die Fähigkeit, gleichmäßige, hochwertige Filme abzuscheiden, macht HfCl4 in fortschrittlichen Fertigungsverfahren wertvoll.